Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Box
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Dual)
• fet функция
  Silicon Carbide (SiC)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  395A (Tc)
• rds на (макс.) @ id, vgs
  5.3mOhm @ 400A, 15V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3.6V @ 92mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  908nC @ 15V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  2450pF @ 800V
• мощност - макс
  -
• Работна температура
  -40°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтаж
  Chassis Mount
• пакет/калъф
  Module
• пакет устройство на доставчика
  -