Спецификации

• серия
  C2M™
• пакет
  Tube
• състояние на част
  Not For New Designs
• фет тип
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1700 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  72A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  20V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 18mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (макс.)
  +25V, -10V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  520W (Tc)
• Работна температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Through Hole
• пакет устройство на доставчика
  TO-247-4
• пакет/калъф
  TO-247-4