SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N and P-Channel
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    100V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    15A (Tc), 9.5A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    20nC @ 10V, 15nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    650pF @ 25V, 600pF @ 25V
  • мощност - макс
    27W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ570EP-T1_GE3 Поискайте оферта

В наличност 19993
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.05000
Целева цена:
Обща сума:1.05000

Лист с данни