SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N and P-Channel
  • fet функция
    -
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    30A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    27mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.3V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    38.1nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1850pF @ 20V
  • мощност - макс
    48W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8 Dual

SQJ500AEP-T1_GE3 Поискайте оферта

В наличност 15357
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.39000
Целева цена:
Обща сума:1.39000

Лист с данни