SQJ208EP-T1_GE3

SQJ208EP-T1_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET DUAL N-CH AUTO 40V PP SO-

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A (Tc), 60A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    33nC, 75nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1700pF, 3900pF @ 25V
  • мощност - макс
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ208EP-T1_GE3 Поискайте оферта

В наличност 16489
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.29000
Целева цена:
Обща сума:1.29000