SQJ204EP-T1_GE3

SQJ204EP-T1_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    12V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A (Tc), 60A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    20nC @ 10V, 50nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
  • мощност - макс
    27W (Tc), 48W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ204EP-T1_GE3 Поискайте оферта

В наличност 14424
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.47000
Целева цена:
Обща сума:1.47000

Лист с данни