SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    12V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A, 60A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    6.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    22nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    975pF @ 6V
  • мощност - макс
    27W, 48W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

SQJ202EP-T1_GE3 Поискайте оферта

В наличност 16848
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.26000
Целева цена:
Обща сума:1.26000

Лист с данни