SISH407DN-T1-GE3

SISH407DN-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

Спецификации

  • серия
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    15.4A (Ta), 25A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    1.8V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    93.8 nC @ 8 V
  • vgs (макс.)
    ±8V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    2760 pF @ 10 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    3.6W (Ta), 33W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® 1212-8SH
  • пакет/калъф
    PowerPAK® 1212-8SH

SISH407DN-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 22430
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.93000
Целева цена:
Обща сума:0.93000