SIAA00DJ-T1-GE3

SIAA00DJ-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 25V 20.1A/40A PPAK

Имейл за RFQ: [email protected] or Запитвания онлайн

Спецификации

  • серия
    TrenchFET® Gen IV
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    25 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20.1A (Ta), 40A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    5.6mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    24 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    +16V, -12V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1090 pF @ 12.5 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SC-70-6

SIAA00DJ-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 37828
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.27072
Целева цена:
Обща сума:0.27072

Лист с данни

Изтегли