SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

Спецификации

  • серия
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    12 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    12A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    1.5V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    29mOhm @ 6.7A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    57 nC @ 8 V
  • vgs (макс.)
    ±8V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1800 pF @ 10 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    3.5W (Ta), 19W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • пакет/калъф
    PowerPAK® SC-70-6

SIA413DJ-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 21214
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.98000
Целева цена:
Обща сума:0.98000

Лист с данни