SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

Спецификации

  • серия
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    6.2A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    24mOhm @ 8.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    23 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    -
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    1.5W (Ta)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    8-SO
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI9410BDY-T1-E3 Поискайте оферта

В наличност 4098
Количество:
Целева цена:
Обща сума:0

Лист с данни