SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP

Спецификации

  • серия
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    5.2A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    22mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.6V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    18nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    -
  • мощност - макс
    1W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    8-TSSOP

SI6968BEDQ-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 28970
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.71000
Целева цена:
Обща сума:0.71000

Лист с данни