SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Спецификации

  • серия
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    6A (Tc)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    19.2mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    7.1nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    765pF @ 15V
  • мощност - макс
    10.4W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • пакет устройство на доставчика
    PowerPAK® ChipFet Dual

SI5922DU-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 35935
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.57000
Целева цена:
Обща сума:0.57000

Лист с данни