SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

производител

Vishay / Siliconix

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 P-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    4.9A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    32mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    21nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    -
  • мощност - макс
    1.1W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    8-SO

SI4963BDY-T1-GE3 Поискайте оферта

В наличност 25220
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.82500
Целева цена:
Обща сума:0.82500

Лист с данни