VS-C08ET07T-M3

VS-C08ET07T-M3

производител

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

категория на продукта

диоди - rf

Описание

SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип диод
    Schottky - Single
  • напрежение - обратен пик (макс.)
    650V
  • ток - макс
    8 A
  • капацитет @ vr, f
    355pF @ 1V, 1MHz
  • съпротивление @ if, f
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    54 W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • пакет/калъф
    TO-220-2
  • пакет устройство на доставчика
    TO-220AC

VS-C08ET07T-M3 Поискайте оферта

В наличност 10180
Количество:
Единична цена (референтна цена):
3.26000
Целева цена:
Обща сума:3.26000