TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS

Спецификации

  • серия
    π-MOSVII
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    8A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    840mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    25 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1350 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    45W (Tc)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    TO-220SIS
  • пакет/калъф
    TO-220-3 Full Pack

TK8A65D(STA4,Q,M) Поискайте оферта

В наличност 12884
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.51000
Целева цена:
Обща сума:2.51000

Лист с данни