TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    500 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    3A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3Ohm @ 1.5A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.4V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    7 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    280 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    60W (Tc)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK3P50D,RQ(S Поискайте оферта

В наличност 39254
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.52052
Целева цена:
Обща сума:0.52052

Лист с данни