TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS

Спецификации

  • серия
    π-MOSVII
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    2.5A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.51Ohm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4.4V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    490 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    35W (Tc)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    TO-220SIS
  • пакет/калъф
    TO-220-3 Full Pack

TK3A65DA(STA4,QM) Поискайте оферта

В наличност 15605
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.35520
Целева цена:
Обща сума:1.35520

Лист с данни