TK17E65W,S1X

TK17E65W,S1X

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220

Спецификации

  • серия
    DTMOSIV
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    650 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    17.3A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    200mOhm @ 8.7A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 900µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1800 pF @ 300 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    165W (Tc)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    TO-220
  • пакет/калъф
    TO-220-3

TK17E65W,S1X Поискайте оферта

В наличност 12523
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.59380
Целева цена:
Обща сума:2.59380

Лист с данни