SSM6N61NU,LF

SSM6N61NU,LF

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    4A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    33mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    3.6nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    410pF @ 10V
  • мощност - макс
    2W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    6-WDFN Exposed Pad
  • пакет устройство на доставчика
    6-UDFNB (2x2)

SSM6N61NU,LF Поискайте оферта

В наличност 61312
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.16539
Целева цена:
Обща сума:0.16539

Лист с данни