SSM6N35FE,LM

SSM6N35FE,LM

производител

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Logic Level Gate
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    180mA
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3Ohm @ 50mA, 4V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    -
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    9.5pF @ 3V
  • мощност - макс
    150mW
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    SOT-563, SOT-666
  • пакет устройство на доставчика
    ES6 (1.6x1.6)

SSM6N35FE,LM Поискайте оферта

В наличност 25363
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.41000
Целева цена:
Обща сума:0.41000

Лист с данни