TSM80N950CH C5G

TSM80N950CH C5G

производител

TSC (Taiwan Semiconductor)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    800 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    6A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    950mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    19.6 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    691 pF @ 100 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    110W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    TO-251 (IPAK)
  • пакет/калъф
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

TSM80N950CH C5G Поискайте оферта

В наличност 10800
Количество:
Единична цена (референтна цена):
3.02000
Целева цена:
Обща сума:3.02000

Лист с данни