STB33N60M2

STB33N60M2

производител

STMicroelectronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK

Спецификации

  • серия
    MDmesh™ II Plus
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    600 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    26A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    125mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    45.5 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±25V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1781 pF @ 100 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    190W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    D2PAK
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB33N60M2 Поискайте оферта

В наличност 8471
Количество:
Единична цена (референтна цена):
3.98000
Целева цена:
Обща сума:3.98000

Лист с данни