Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Tube
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  1200 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  10A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  18V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (макс.) @ id
  4V @ 900µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (макс.)
  +22V, -6V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  85W (Tc)
• Работна температура
  175°C (TJ)
• тип монтаж
  Through Hole
• пакет устройство на доставчика
  TO-247
• пакет/калъф
  TO-247-3