RQ3L090GNTB

RQ3L090GNTB

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    9A (Ta), 30A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    13.9mOhm @ 9A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.7V @ 300µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    24.5 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1260 pF @ 30 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    2W (Ta)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    8-HSMT (3.2x3)
  • пакет/калъф
    8-PowerVDFN

RQ3L090GNTB Поискайте оферта

В наличност 15864
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.34000
Целева цена:
Обща сума:1.34000