RGTH80TK65GC11

RGTH80TK65GC11

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

IGBT

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    650 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    31 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    160 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • мощност - макс
    66 W
  • превключваща енергия
    -
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    79 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    34ns/120ns
  • тестово състояние
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    -
  • Работна температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-3PFM, SC-93-3
  • пакет устройство на доставчика
    TO-3PFM

RGTH80TK65GC11 Поискайте оферта

В наличност 10399
Количество:
Единична цена (референтна цена):
5.28000
Целева цена:
Обща сума:5.28000