RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

IGBT 650V 30A 133W TO-263S

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    650 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    30 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    45 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • мощност - макс
    133 W
  • превключваща енергия
    -
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    32 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    18ns/64ns
  • тестово състояние
    400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    55 ns
  • Работна температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • пакет устройство на доставчика
    LPDS (TO-263S)

RGT30NS65DGTL Поискайте оферта

В наличност 11168
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.95000
Целева цена:
Обща сума:1.95000

Лист с данни