RGT20TM65DGC9

RGT20TM65DGC9

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    650 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    10 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    30 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • мощност - макс
    25 W
  • превключваща енергия
    -
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    22 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    12ns/32ns
  • тестово състояние
    400V, 10A, 10Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    42 ns
  • Работна температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-220-3 Full Pack
  • пакет устройство на доставчика
    TO-220NFM

RGT20TM65DGC9 Поискайте оферта

В наличност 13904
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.32000
Целева цена:
Обща сума:2.32000