RF4C100BCTCR

RF4C100BCTCR

производител

ROHM Semiconductor

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    10A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    1.8V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    15.6mOhm @ 10A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.2V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    23.5 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±8V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1660 pF @ 10 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    2W (Ta)
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    HUML2020L8
  • пакет/калъф
    8-PowerUDFN

RF4C100BCTCR Поискайте оферта

В наличност 26961
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.77000
Целева цена:
Обща сума:0.77000