Спецификации

• серия
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  55 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2V @ 1mA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±13V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  SC-73
• пакет/калъф
  TO-261-4, TO-261AA