Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  30 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  8.9A (Ta), 52A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  5.5mOhm @ 20A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.2V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  28 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1.979 pF @ 15 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  850mW (Ta), 29.8W (Tc)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  8-WDFN (3.3x3.3)
• пакет/калъф
  8-PowerWDFN