NTMFS4119NT1G

NTMFS4119NT1G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    11A (Ta)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    4.5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3.5mOhm @ 29A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    60 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    4.8 pF @ 24 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    900mW (Ta)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS4119NT1G Поискайте оферта

В наличност 40168
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.51000
Целева цена:
Обща сума:0.51000

Лист с данни