Спецификации

• серия
  -
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Obsolete
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  30 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  4.9A (Ta)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  4.5V, 10V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  38mOhm @ 4.9A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  9.1 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  462 pF @ 24 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  1.3W (Ta)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  ChipFET™
• пакет/калъф
  8-SMD, Flat Lead