NTDV5805NT4G

NTDV5805NT4G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    51A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    5V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    9.5mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    80 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1.725 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    -
  • Работна температура
    -
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    DPAK
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTDV5805NT4G Поискайте оферта

В наличност 31181
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.33000
Целева цена:
Обща сума:0.33000

Лист с данни