NGTB15N135IHRWG

NGTB15N135IHRWG

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.35 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    30 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    60 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.65V @ 15V, 15A
  • мощност - макс
    357 W
  • превключваща енергия
    420µJ (off)
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    156 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    -/170ns
  • тестово състояние
    600V, 15A, 10Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    -
  • Работна температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-247-3
  • пакет устройство на доставчика
    TO-247

NGTB15N135IHRWG Поискайте оферта

В наличност 15516
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.04000
Целева цена:
Обща сума:2.04000

Лист с данни