MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - биполярни (bjt) - rf

Описание

RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    NPN
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    25V
  • честота - преход
    650MHz
  • шумова фигура (db typ @ f)
    -
  • печалба
    -
  • мощност - макс
    225mW
  • усилване на постоянен ток (hfe) (мин) @ ic, vce
    60 @ 4mA, 10V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    -
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • пакет устройство на доставчика
    SOT-23-3 (TO-236)

MMBTH10LT3G Поискайте оферта

В наличност 334203
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.03000
Целева цена:
Обща сума:0.03000

Лист с данни