MJD112-1G

MJD112-1G

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - биполярни (bjt) - единични

Описание

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип транзистор
    NPN - Darlington
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    2 A
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    100 V
  • vce насищане (макс.) @ ib, ic
    3V @ 40mA, 4A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    20µA
  • усилване на постоянен ток (hfe) (мин) @ ic, vce
    1000 @ 2A, 3V
  • мощност - макс
    1.75 W
  • честота - преход
    25MHz
  • Работна температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • пакет устройство на доставчика
    I-PAK

MJD112-1G Поискайте оферта

В наличност 44432
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.23000
Целева цена:
Обща сума:0.23000

Лист с данни