Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  55 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  51A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±16V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  80W (Tc)
• Работна температура
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  PG-TO263-3-2
• пакет/калъф
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB