IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • тип igbt
    -
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.2 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    80 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    105 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2V @ 15V, 35A
  • мощност - макс
    350 W
  • превключваща енергия
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    315 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    35ns/190ns
  • тестово състояние
    600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    170 ns
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-247-3
  • пакет устройство на доставчика
    TO-247AD

IRG8P50N120KD-EPBF Поискайте оферта

В наличност 8517
Количество:
Единична цена (референтна цена):
6.50000
Целева цена:
Обща сума:6.50000

Лист с данни