Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  200 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  43A (Tc)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  -
• rds на (макс.) @ id, vgs
  54mOhm @ 26A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  5V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  91 nC @ 10 V
• vgs (макс.)
  -
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  2.9 pF @ 25 V
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  -
• Работна температура
  -
• тип монтаж
  Through Hole
• пакет устройство на доставчика
  TO-262
• пакет/калъф
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA