Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• състояние на част
  Active
• фет тип
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  30 V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  8.3A (Ta)
• задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
  4.5V
• rds на (макс.) @ id, vgs
  25mOhm @ 7A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  3V @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  14 nC @ 5 V
• vgs (макс.)
  ±20V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  -
• fet функция
  -
• разсейване на мощност (макс.)
  2.5W (Ta)
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет устройство на доставчика
  8-SO
• пакет/калъф
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)