Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• състояние на част
  Active
• фет тип
  2 N-Channel (Dual)
• fet функция
  Logic Level Gate
• напрежение от източване към източник (vdss)
  20V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  5.2A
• rds на (макс.) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  700mV @ 250µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  660pF @ 15V
• мощност - макс
  2W
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет/калъф
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• пакет устройство на доставчика
  8-SO