IPP120N04S302AKSA1

IPP120N04S302AKSA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

PFET, 120A I(D), 40V, 0.0023OHM,

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    120A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    2.3mOhm @ 80A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 230µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    210 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    14.3 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    300W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO220-3-1
  • пакет/калъф
    TO-220-3

IPP120N04S302AKSA1 Поискайте оферта

В наличност 15403
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.07000
Целева цена:
Обща сума:2.07000

Лист с данни