IPB50CN10NGATMA1

IPB50CN10NGATMA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    100 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    20A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    50mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 20µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    16 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1.09 pF @ 50 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    44W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO263-3-2
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB50CN10NGATMA1 Поискайте оферта

В наличност 39280
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.52000
Целева цена:
Обща сума:0.52000

Лист с данни