IKW03N120H2FKSA1

IKW03N120H2FKSA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

DISCRETE IGBT WITH DIODE

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Obsolete
  • тип igbt
    -
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.2 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    9.6 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    9.9 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 3A
  • мощност - макс
    62.5 W
  • превключваща енергия
    290µJ
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    22 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    9.2ns/281ns
  • тестово състояние
    800V, 3A, 82Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    42 ns
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    TO-247-3
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO247-3

IKW03N120H2FKSA1 Поискайте оферта

В наличност 15408
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.37000
Целева цена:
Обща сума:1.37000

Лист с данни