HAT2218R-EL-E

HAT2218R-EL-E

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

POWER, 7.5A, 30V, N-CH MOSFET

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet функция
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    7.5A, 8A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    24mOhm @ 3.75A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    -
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    4.6nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    630pF @ 10V
  • мощност - макс
    1.5W
  • Работна температура
    150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    8-SOP

HAT2218R-EL-E Поискайте оферта

В наличност 26940
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.77000
Целева цена:
Обща сума:0.77000