FQB2P25TM

FQB2P25TM

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

Спецификации

  • серия
    QFET®
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Obsolete
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    250 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    2.3A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    4Ohm @ 1.15A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    8.5 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±30V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    250 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    3.13W (Ta), 52W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    D²PAK (TO-263AB)
  • пакет/калъф
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB2P25TM Поискайте оферта

В наличност 33203
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.31000
Целева цена:
Обща сума:0.31000

Лист с данни