FDMD86100

FDMD86100

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Спецификации

  • серия
    PowerTrench®
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    100V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    10A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    10.5mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    4V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    30nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    2060pF @ 50V
  • мощност - макс
    2.2W
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerWDFN
  • пакет устройство на доставчика
    8-Power 5x6

FDMD86100 Поискайте оферта

В наличност 13200
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.62000
Целева цена:
Обща сума:1.62000

Лист с данни