DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

производител

Rochester Electronics

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

DFXR12P - IGBT MODULE

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Bulk
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    Trench Field Stop
  • конфигурация
    Three Phase Inverter
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1.2 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    300 A
  • мощност - макс
    1.1 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    15 µA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    12.5 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    Yes
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

DF200R12PT4B6BOSA1 Поискайте оферта

В наличност 1141
Количество:
Единична цена (референтна цена):
166.67000
Целева цена:
Обща сума:166.67000

Лист с данни