NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tube
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфигурация
    Three Phase Inverter with Brake
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1200 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    35 A
  • мощност - макс
    20 mW
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 35A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    250 µA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    8.333 nF @ 20 V
  • вход
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc термистор
    Yes
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Through Hole
  • пакет/калъф
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • пакет устройство на доставчика
    26-DIP

NXH35C120L2C2ESG Поискайте оферта

В наличност 1791
Количество:
Единична цена (референтна цена):
55.08000
Целева цена:
Обща сума:55.08000